插座一哥公牛推出全新240W氮化镓桌面升，内部灌满胶？拆解大揭秘

mm。

厚为30.93mm。

可用ChargerLAB POWER-Z KM003C实测USB-C1西南侧赞同FCP、SCP、AFC、QC3+、SFCP、PD3.1、DCP、SAM 2A高压电池组条款。

PDO报文看出USB-C1西南侧具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A、28V5A六组比较简单高压电流档。

实测USB-C2西南侧赞同FCP、SCP、AFC、QC3.0、SFCP、PD3.0、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A高压电池组条款。

PDO报文看出USB-C2西南侧具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A共五比较简单高压电流档。

实测USB-C3西南侧比方说赞同FCP、SCP、AFC、QC3.0、SFCP、PD3.0、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A高压电池组条款。

PDO报文看出USB-C3西南侧具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A共五比较简单高压电流档。

实测USB-A西南侧赞同FCP、SCP、AFC、QC3.0、SFCP、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A高压电池组条款。

费城76人240W锂铋GNOME旧款报废

看完了费城76人这款240W锂铋GNOME旧款的开箱和测试，前面就进行报废，朋友们想到核心的其设计方案和用料。

首先沿显示器缝隙撬开插头显示器，显示器通过超声波钢板子比较简单。

由于核心为灌封混和，可用切割机切开很薄，取出核心PCBA可选。

PCBA可选整体灌胶混和，对应编码器侧留有空隙。

PCBA可选交流可用西南侧完全被打胶混和。

PCBA可选右下附设黄铅冷却器片。

可用游标卡尺实测PCBA可选阔度近为86.19mm。

PCBA可选宽度近为81.54mm。

PCBA可选厚近为25.9mm。

冷却器铅片通过钢板子比较简单。

取下PCBA可选右下的冷却器铅片，铅片与PCBA可选彼此间水印麦拉片密封。

交流可用西南侧导直通钢板子到垂直小板子上供高压电。

PCBA可选正面一览表，右下角钢板子可用线性小板子，向左钢板子逆变器桥，线性半导体器件，线性半导体器件，左侧钢板子PFC加压半导体器件，顶部钢板子真空线性半导体器件。右侧钢板子正弦半导体器件，正弦半导体器件和LLC电源。

右上角为连动逆变器管和线性固态半导体器件，顶部分别钢板子三块小板子运用于编码器升压，左侧两颗虹微运用于编码器高压电流测试者和PFC控先以。

PCBA可选右下一览表，钢板子三颗锂铋继高压电器管，分别运用于PFC加压和LLC半桥，还钢板子一颗锗高压电阻器运用于PFC逆变器。在后侧还钢板子两颗贴片Y半导体器件，右下角钢板子连动逆变器控先以器。

通过对PCBA可选的掩蔽发现，费城76人这款3C1A锂铋GNOME旧款换用PFC+LLC+SR的极高效正弦高压电源管理模式，比较简单高压电流编码器，编码器高压电流通过虹微测试者。编码器为二次升压小板子供高压电，通过六路独立自主的连动升压高压电阻器，借助于四个可选的快升编码器。前面我们就从可用西南侧开始洞察各个半导体器件的信息。

PCBA可选前部一览表，右侧钢板子线性小板子，向左钢板子增益半导体器件，逆变器桥，线性薄膜半导体器件，线性半导体器件，左侧钢板子PFC加压半导体器件。

可用西南侧小板子钢板子保险丝，NTC热敏高压电阻，两颗安规X2半导体器件和增益半导体器件。

小板子右下很难钢板子半导体器件。

可用西南侧保险丝XT为5A 250V。

NTC热敏高压电阻贴片钢板子，丝印NSP2R54。

两颗安规X2半导体器件来自STE松田的高压电子，XT除此以外为0.22μF。

增益半导体器件换用漆包直通和密封直通绕先以，上部钢板子密封中空。

增益半导体器件换用扁铅直通绕先以。

逆变器桥来自扬杰的高压电子，改进型GBU1510，XT为15A 1000V。

两颗薄膜线性半导体器件来自松田的高压电子，XT为1μF450V。

另一颗薄膜半导体器件XT完全一致。

线性半导体器件换用磁场环绕先以，上部附设高压电木板子密封。

PCB正面还钢板子操作者中央执行器和连动逆变器管。

旧款初级PWM操作者中央执行器换用NXP恩智浦TEA2016AAT，一颗中央执行器外置LLC控先以器和PFC控先以器，外置小数管理模式控先以，重构了其设计的同时降低临近半导体器件数量，中央执行器外置多重完善的维护功能，应用软件度非常极高。

为操作者中央执行器供高压电的线性半导体器件来自万京源，XT为50V100μF。

PFC加压继高压电器管换用铋预见 G1N65R150PB-H，是一颗钛合金650V的锂铋kW半导体器件，；也钛合金800V，标称导阻150mΩ，电容器钛合金赞同±20V，可可用传统铝MOS驱动，相比增强型锂铋，非常简单电容器驱动FPGA。

铋预见 G1N65R150PB-H 换用PQFN8x8嵌入，冷却器焊盘为源极，增高极高频走直通面积，增加EMI稳定性。

高压电池组头网通过报废洞察到，铋预见锂铋kW半导体器件此前已被铁甲65W锂铋无直通智能旧款、绿巨能65W三西南侧锂铋快升旧款 、悦米65W 1A1C锂铋快升旧款、唯沃丰65W 2C1A锂铋快升旧款等厂家换用。

60mΩ抽样高压电阻运用于监测PFC继高压电器管直通圈。

PFC加压半导体器件布片，磁场芯换用胶带严密螺旋形密封。

PFC逆变器管来自美浦森，改进型为MSM06065G1，是一颗650V钛合金，150℃连续正向直通圈6A的锗高压电阻器，换用DFN5*6嵌入，超薄嵌入花费体积，适运用于极高kW密度的大kW锂铋快升应用。

晶恒 S3M 高压电阻器运用于PFC高压电阻器一个大。

PFC加压半导体器件左侧钢板子真空线性半导体器件。

真空线性半导体器件来自万京源，XT为450V100μF。

另外两颗XT为450V22μF。

LLC半桥锂铋继高压电器管换用铋预见G1N65R240PB-N，是一颗钛合金650V的锂铋kW半导体器件，；也钛合金800V，标称导阻240mΩ，电容器钛合金赞同±20V，可可用传统铝MOS驱动，相比增强型锂铋，非常简单电容器驱动FPGA。

铋预见 G1N65R240PB 换用PQFN8*8嵌入，冷却器焊盘为源极，增高极高频走直通面积，增加EMI稳定性。

正弦半导体器件来自STE松田的高压电子，XT为0.033μF630V。

正弦半导体器件磁场芯换用胶带严密螺旋形密封。

PCBA可选前部钢板子电源和编码器线性半导体器件。

电源磁场芯螺旋形铅箔屏蔽，并严密螺旋形胶带密封。

贴片Y半导体器件来自四川特锐祥信息技术股份有限公司，具有成本低、重量轻等特色，非常适合应运用于锂铋快升这类极高密度高压电源厂家中，料号TMY1221M。

另一颗贴片Y半导体器件XT完全一致。

两颗1009虹微运用于编码器高压电流测试者和PFC控先以。

连动逆变器控先以器来自NXP恩智浦，改进型为TEA1995，其外置两个独立自主的连动逆变器驱动器运用于LLC管理模式继高压电器高压电源的连动逆变器，临近半导体器件精简，赞同38V工作高压电流，能够满足USB PD3.1的28V编码器。

连动逆变器管来自瑶芯微，改进型AKG100N077G，NMOS，钛合金100V，导阻7.7mΩ，换用PDFN5*6-8L嵌入。

编码器西南侧钢板子线性固态半导体器件和六路升压小板子以及USB-A母座。

编码器线性半导体器件来自万京源，XT为470μF35V，四颗串联。

另两颗线性半导体器件XT为220μF35V。

USB-C1升压小板子布片，钢板子可用编码器线性半导体器件和升压半导体器件。

另一面钢板子升压操作者中央执行器，连动升压继高压电器管和VBUS继高压电器管。

旧款USB-C1可选可用智融SW3566H升压控先以器，这颗中央执行器是一款极高应用软件度的多快升条款双西南侧高压电池组SOC中央执行器，赞同USB-C和USB-A可选高压电池组，并赞同双西南侧独立自主除此以外。中央执行器核心应用软件了极高效率连动升压转化器，赞同20V7A和28V5A编码器，赞同PD3.1/QC/SCP/UFCS等快升条款，赞同快升条款功能强大，最大赞同140W编码器kW。

SW3566H应用软件了CC/CV模式，双西南侧负责管理逻辑和母直通高压电流监测，独创对应的升压继高压电器管和VBUS继高压电器管即可借助于双西南侧升压编码器。中央执行器外置的升压转化器工作频率为180KHz，赞同PWM和PFM工作模式。编码器直通圈，直通损补贴等维护阈值除此以外可通过I2C可选进行设定，外置的ADC可借助于可用编码器高压电流，编码器直通圈，中央执行器室温等9个通道的数据抽样，赞同外接MCU进行匹配看出。

SW3566H赞同36V可用高压电流，最极高编码器直通圈7A，中央执行器外置软启动，可用过压/欠压维护，编码器过压/欠压维护，编码器过流/短路维护，DP/DM/CC过压维护，中央执行器过热维护和外接NTC热敏高压电阻维护，以及限kW维护。中央执行器换用QFN4*4-32嵌入。

高压电池组头网报废洞察到，智融 SW3566H 此前还联300W 4C1A五西南侧PD锂铋快升旧款、古石 188W多西南侧GNOME旧款、TOMAX拓玛140W 3C1A锂铋旧款 等厂家换用，中央执行器稳定性质量可获顾客一致认可。

连动升压继高压电器管来自瑶芯微，改进型AKG4N070GL，NMOS，钛合金40V ，导阻7mΩ，换用DFN5*6嵌入。

一颗高压电阻器运用于提极高转化效率。

可用线性半导体器件来自万京源，XT为100μF35V。

升压半导体器件换用磁场环绕先以，夹克热缩管密封。

编码器线性半导体器件来自东佳，XT为35V220μF。

VBUS继高压电器管来自新洁能，改进型NCEP4065QU，NMOS，钛合金40V，导阻2.2mΩ，换用DFN3.3*3.3嵌入。

编码器USB-C母座换用过盖钢板子比较简单，黄色胶芯不露铅。

USB-C2升压小板子布片，钢板子可用编码器线性半导体器件和升压半导体器件。

另一面钢板子升压操作者中央执行器，连动升压继高压电器管和VBUS继高压电器管。

USB-C2可选升压条款IC换用智融SW3516P，这是一款极高应用软件度的多快升条款双西南侧高压电池组中央执行器，赞同A+C西南侧任意西南侧快升编码器，赞同双西南侧独立自主除此以外，匹配和XT除此以外与智融SW3516H完全一致。

SW3516P应用软件了5A 极高效率连动升压变换器。赞同PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP等多种快升条款，最大编码器PD 100W，CC/CV模式，以及双西南侧负责管理逻辑。临近只需少量的半导体器件，即可组合成完整的小型化多快升条款双西南侧高压电池组解决其设计方案。

智融 SW3516P 详细资料资料。

高压电池组头网报废洞察到，智融 SW3516P 此前还被闪极100W 3C1A锂铋旧款、费城76人67W 3C1A山峰安全快升插头、魅族PANDAER 67W 2C1A锂铋变速箱潮升、绿联MFM证照100W二合一锂铋高压电池组站等厂家换用，中央执行器稳定性质量可获顾客一致认可。

连动升压继高压电器管来自瑶芯微，改进型AKG4N070GL，NMOS，钛合金40V ，导阻7mΩ，换用DFN5*6嵌入。

可用线性半导体器件来自万京源，XT为100μF35V。

升压半导体器件换用磁场环绕先以，夹克热缩管密封。

编码器线性半导体器件来自东佳，XT为35V220μF。

VBUS继高压电器管来自新洁能，改进型NCEP4065QU，NMOS，钛合金40V，导阻2.2mΩ，换用DFN3.3*3.3嵌入。

编码器USB-C母座换用过盖钢板子比较简单，黄色胶芯不露铅。

USB-C3和USB-A西南侧升压小板子布片，钢板子可用编码器线性半导体器件和升压半导体器件。

另一面钢板子升压操作者中央执行器，连动升压继高压电器管和VBUS继高压电器管。

升压操作者中央执行器换用智融SW3516P。

连动升压继高压电器管来自新洁能，改进型NCEP4040Q，NMOS，钛合金40V，导阻7.7mΩ，换用DFN3.3*3.3嵌入。

编码器VBUS继高压电器管丝印G33N03，是一颗双NMOS，运用于USB-C和USB-A西南侧编码器控先以。

编码器USB-C母座换用过盖钢板子比较简单，黄色胶芯不露铅。

USB-A母座垂直钢板子比较简单，换用黄色胶芯。

全部报废一览表，来张全家福。

高压电池组头网报废总结

费城76人这款240NOME旧款自带1米长高压电源直通，具备3C1A四个USB快升可选。升足的编码器kW，产生了极高水准的快升体验，可以同时满足两节信纸满kW高压电池组，还可以同时满足三台的设备同时满kW高压电池组。其中USB-C1可选赞同140W编码器kW，USB-C2可选赞同100W编码器kW，所有可选除此以外赞同快升，并赞同kW自动扣除。

高压电池组头网通过报废洞察到，费城76人这款插头换用灌封材料。核心换用恩智浦TEA2016极高应用软件高压电源中央执行器，运用于PFC和LLC控先以。PFC继高压电器管和LLC继高压电器管除此以外来自铋预见，换用 G1N65R150PB-H 运用于PFC继高压电器管，两颗 G1N65R240PB-N运用于LLC继高压电器管。并换用美浦森 MSM06065G1 锗高压电阻器运用于PFC逆变器。

连动逆变器换用恩智浦TEA1995，独创可用万京源高压电解半导体器件和固态半导体器件。编码器升压其设计方案来自智融信息技术，换用一颗SW3566H升压操作者中央执行器运用于USB-C1可选140W编码器，两颗SW3516P运用于USB-C2，USB-C3和USB-A可选编码器。智融SW3566H中央执行器快升条款赞同年初，核心应用软件MCU，无需额外的MCU，适合多西南侧快升应用，有效重构FPGA。

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