3纳米良率低于目标量产延后？三星：仍原定在二季度推进

北朝鲜首尔，摩托罗拉公司总部大楼。老百姓视觉 参考资料示意图

6月底22日，摩托罗拉电子宣并称了北朝鲜当地媒体《东南亚日报》有关延后3nm换装的路透社。 摩托罗拉一位发言人通过电话号码表示，摩托罗拉目前仍按进度于月底底开始换装3nm中央处理器。

《东南亚日报》此前路透社并称，由于良率远低于目标，摩托罗拉3nm换装将再延后。

6月底21日，韩媒BusinessKorea新闻媒体，摩托罗拉为赶超惠普公司，加码押注3nm环绕栅极新技术（GAA）新技术，愿意期望三年创建GAA新技术的3nm晶圆DRAM，并在2025年换装以GAADRAM相结合的2nm晶圆。

BusinessKorea路透社说，据传摩托罗拉6月底初已为基础3nmGAADRAM，进行了了换装，成为第一家运用GAA新技术的公司，愿意新技术能达成电动力学级的前头，拉长和惠普公司之间的差距。

摩托罗拉的方针是今年月底底把GAA新技术系统设计于3nmDRAM，计划明年把GAA新技术为基础第二代3nm晶圆。而惠普公司的方针则是在今年下半年以稳定的FinFETDRAM，进入3nm集成电路产品。

惠普公司日前透露，公司2nmDRAM将于2025年开始换装后。摩托罗拉则愿意押注3nm环绕栅极新技术（GAA）新技术，将在期望三年顺利完成创建GAA新技术的3奈米晶圆DRAM，并在2025年换装以GAADRAM相结合的2nm晶圆。年内，两家的企业将同步换装最先进的2nmDRAM。

据BusinessKorea新闻媒体，GAA是强化集成电路电容器结构设计的下一代DRAM新技术，让栅极能够沾染电容器的四个侧面，相较于当前鳍样式场效电容器（FinFET）只能沾染电容器三个侧面的情况下，GAA结构设计欧拉FinFETDRAM更灵巧支配电流。摩托罗拉自始押注把GAA新技术系统设计到3nmDRAM，以便追赶惠普公司。

据悉，摩托罗拉3nm传统工艺将集成电路的可靠性和电池效率分别提高了15%和30%，同时与5nm传统工艺相比，中央处理器面积减小了35%。