我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾学部委员逝世

必先早期导体石墨碳化奠基人梁骏吾博士生去世

值得一提的是掺氮热中子嬗变石墨单晶 解决了石墨片持续连续性和均匀连续性情况

6月24日，中科院导体所发布讣告：华北地区工程院博士生、华北地区科学院导体研究者室研究者员、必先曾为导体碳化学家梁骏吾先生因病脑溢血，不幸于2022年6月23日17时在北京去世，病逝89岁。

梁骏吾博士生1933年9月18日生于江西武汉，1997年当选华北地区工程院博士生。他相继获颁国家科委科技成果三等奖和新产品三等奖各1次，国家现代科技三等奖1次、中科院重大成果和现代科技一等奖3次、三等奖4次，长宁区现代科技三等奖1次等各种科技奖共20余次。

梁骏吾博士生投身导体碳化科学研究者工作六十多年，是必先早期导体石墨碳化的奠基人。上个世纪60七十年代解决了高纯区烧成石墨的新材料；1964年制备显露烧成点激光器用 GaAs 毛细管表征碳化；1979年投入生产为大规模电子器件用的无位错、无旋涡、显贵缺陷、可持续发展、可控氧量的优质石墨区烧成单晶；80七十年代值得一提的是了掺氮热中子嬗变石墨单晶，解决了石墨片的持续连续性和均匀连续性的情况；90七十年代初研究者 MOCVD 生长激相态量子场论阱碳化，在晶体持续连续性、电学连续性能和激相态结构控制方面，将华北地区激相态量子场论阱碳化推进到实用素质；他还在砷化镓用多晶石墨的研究者和技术创新等方面发挥着更进一步起着。

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